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晶體管的原名是半導體三極管，是一種半導體器件。因為有兩種載流子，自由電子和空空穴，參與晶體管的傳導，它們也被稱為雙極晶體管。晶體管的內(nèi)部包含兩個PN結(jié)，外部通常有三個引出電極。圖1中示出了晶體管的幾種常見形狀，圖2是晶體管的電氣圖形符號。晶體管廣泛用于放大和轉(zhuǎn)換電信號。與晶閘管相比，它主要有以下區(qū)別:

(1)晶體管可以在從全導通到全截止的范圍內(nèi)進行無級調(diào)節(jié)。

(2)晶閘管觸發(fā)導通后，控制信號被切斷，晶閘管在一定時間內(nèi)仍能保持導通狀態(tài)；并且在控制信號斷電后，晶體管立即關斷。

(3)與晶閘管相比，晶體管具有更短的開關時間，更好的動態(tài)性能，可以在更高的工作頻率下工作。

功率晶體管可以用作開關器件和放大器件。在與晶閘管的競爭中，它們更適合開關領域。功率晶體管由于其自關斷能力和高工作頻率而被廣泛用于斬波器和逆變器。

三極管和晶閘管有什么區(qū)別

 1.不同的定義

晶體管，全稱是半導體三極管，也稱為雙極晶體管和晶體管，是一種控制電流的半導體器件。

晶閘管是晶閘管的縮寫，也稱為可控硅整流器，以前稱為可控硅整流器。

2.不同的原則

晶體管:

晶體三極管(以下簡稱三極管)根據(jù)材料分為兩種:鍺管和硅管。每一個都有氮磷氮磷結(jié)構(gòu)，但硅氮磷氮磷鍺三氧化物是最常用的(其中n在英語中表示否定)。n型半導體向高純硅中添加磷，以取代一些硅原子。

在電壓刺激下，產(chǎn)生自由電子來導電，而p表示正，這意味著添加硼而不是硅來產(chǎn)生大量空的空穴來導電)。兩者的工作原理相同，只是電源極性不同。下面只介紹NPN硅管的電流放大原理。對于NPN管，它由兩個N型半導體組成，中間夾有一個P型半導體。

在發(fā)射極區(qū)和基極區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射極結(jié)，而在集電極區(qū)和基極區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為集電極結(jié)，三個引線分別稱為發(fā)射極e(發(fā)射極)、基極b(基極)和集電極c(集電極)。

當點B的電勢比點E的電勢高幾伏時，發(fā)射極結(jié)處于正偏置狀態(tài)，而當點C的電勢比點B的電勢高幾伏時，集電極結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，集電極電源Ec高于基極電源Eb。

晶閘管:晶閘管運行時，其陽極(A)和陰極(K)與電源和負載相連，構(gòu)成晶閘管的主電路。晶閘管的柵極G和陰極K與控制晶閘管的裝置相連，構(gòu)成晶閘管的控制電路。

3.不同的功能

晶體管:晶體管具有電流放大的功能。其實質(zhì)是三極管可以控制集電極電流的較大變化和基極電流的較小變化。這是三極管最基本也是最重要的特性。

δIc/δIb之比稱為晶體管的電流放大系數(shù)，用符號β表示。對于三極管來說，電流放大系數(shù)是一個固定值，但是當三極管工作時，它也會隨著極性電流的變化而變化。

晶閘管:晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，有三個電極:陽極、陰極和控制極。晶閘管具有硅整流器件的特性，可以在高壓大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制。它們廣泛應用于可控整流器、交流調(diào)壓、非接觸式電子開關、逆變器、變頻等電子電路中。